1cnm
-
消息称三星电子调整 1c nm DRAM 内存设计：牺牲外围密度以保障良率
韩媒 ZDNet Korea 当地时间昨日报道称，三星电子对其正在研发中的下一代 1c nm 制程 DRAM 内存进行了设计调整，以期更快实现良率提升。 报道称，三星此前为 1c …
韩媒 ZDNet Korea 当地时间昨日报道称，三星电子对其正在研发中的下一代 1c nm 制程 DRAM 内存进行了设计调整，以期更快实现良率提升。 报道称，三星此前为 1c …
